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    DXT2011P5Q-13
  • 制造厂商：DIODES
  • 类别封装：晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个，封装：PowerDI? 5
  • 技术参数：PWR LOW SAT TRANSISTOR PDI5
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    • 参数详情：
  • 制造商产品型号：DXT2011P5Q-13
  • 制造商：Diodes Incorporated
  • 描述：PWR LOW SAT TRANSISTOR PDI5
  • 系列：晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
  • 产品系列：Automotive, AEC-Q101
  • 零件状态：停产
  • 晶体管类型：NPN
  • 电流-集电极(Ic)（最大值）：6A
  • 电压-集射极击穿（最大值）：100V
  • 不同?Ib、Ic时?Vce饱和压降（最大值）：220mV @ 500mA，5A
  • 电流-集电极截止（最大值）：20nA（ICBO）
  • 不同?Ic、Vce?时DC电流增益(hFE)（最小值）：100 @ 2A，2V
  • 功率-最大值：3.2W
  • 频率-跃迁：130MHz
  • 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型：表面贴装型
  • 封装：PowerDI? 5
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