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DMTH43M8LFG-13 - DIODES公司常见的电子元件
DMTH43M8LFG-13供应商
产品参考图片
DMTH43M8LFG-13
制造厂商:
DIODES
类别封装:
晶体管 - FET,MOSFET - 单个,器件封装:PowerDI3333-8
技术参数:
MOSFET N-CH 40V PWRDI3333
(专注销售DIODES电子元器件,承诺原装!现货当天发货!)
(您可通过电话、微信、QQ或邮件与销售代表联系询价及采购)
参数详情:
制造商产品型号:DMTH43M8LFG-13
制造商:Diodes Incorporated
描述:MOSFET N-CH 40V PWRDI3333
系列:晶体管 - FET,MOSFET - 单个
产品系列:-
零件状态:有源
FET类型:N 通道
技术:MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss):40V
25°C时电流-连续漏极(Id):24A(Ta),100A(Tc)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):5V,10V
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):3 毫欧 @ 20A,10V
不同Id时Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250μA
不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值):40.1nC @ 10V
Vgs(最大值):±20V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):2798pF @ 20V
FET功能:-
功率耗散(最大值):2.62W(Ta),65.2W(Tc)
工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型:表面贴装型
器件封装:PowerDI3333-8
DMTH43M8LFG-13的订货细节及现货数量,欢迎跟我们的销售代表确认。
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