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DMTH10H010LCTB-13

制造厂商：DIODES

类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 单个，器件封装：TO-220AB

技术参数：MOSFET N-CH 100V 108A TO220AB

（专注销售DIODES电子元器件，承诺原装！现货当天发货！）

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参数详情：

制造商产品型号：DMTH10H010LCTB-13

制造商：Diodes Incorporated

描述：MOSFET N-CH 100V 108A TO220AB

系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个

产品系列：Automotive, AEC-Q101

零件状态：有源

FET类型：N 通道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：100V

25°C时电流-连续漏极(Id)：108A（Tc）

驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V

不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：9.5 毫欧 @ 13A，10V

不同Id时Vgs(th)（最大值）：3.5V @ 250μA

不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：53.7nC @ 10V

Vgs（最大值）：±20V

不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：2592pF @ 50V

FET功能：-

功率耗散（最大值）：2.4W（Ta），166W（Tc）

工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型：通孔

器件封装：TO-220AB

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