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    DMT6009LFG-13
  • 制造厂商：DIODES
  • 类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 单个，器件封装：PowerDI3333-8
  • 技术参数：MOSFET N-CH 60V 11A PWRDI3333
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    • 参数详情：
  • 制造商产品型号：DMT6009LFG-13
  • 制造商：Diodes Incorporated
  • 描述：MOSFET N-CH 60V 11A PWRDI3333
  • 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
  • 产品系列：-
  • 零件状态：有源
  • FET类型：N 通道
  • 技术：MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）：60V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id)：11A（Ta），34A（Tc）
  • 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V
  • 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：10 毫欧 @ 13.5A，10V
  • 不同Id时Vgs(th)（最大值）：2V @ 250μA
  • 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：33.5nC @ 10V
  • Vgs（最大值）：±16V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1925pF @ 30V
  • FET功能：-
  • 功率耗散（最大值）：2.08W（Ta），19.2W（Tc）
  • 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型：表面贴装型
  • 器件封装：PowerDI3333-8
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