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DMT35M7LFV-13

制造厂商：DIODES

类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 单个，器件封装：PowerDI3333-8（UX 类）

技术参数：MOSFET N-CH 30V 76A POWERDI3333

（专注销售DIODES电子元器件，承诺原装！现货当天发货！）

（您可通过电话、微信、QQ或邮件与销售代表联系询价及采购）

参数详情：

制造商产品型号：DMT35M7LFV-13

制造商：Diodes Incorporated

描述：MOSFET N-CH 30V 76A POWERDI3333

系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个

产品系列：-

零件状态：有源

FET类型：N 通道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：30V

25°C时电流-连续漏极(Id)：76A（Tc）

驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V

不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：5 毫欧 @ 20A，10V

不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.4V @ 250μA

不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：36nC @ 10V

Vgs（最大值）：±20V

不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1667pF @ 15V

FET功能：-

功率耗散（最大值）：1.98W（Ta）

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

器件封装：PowerDI3333-8（UX 类）

DMT35M7LFV-13的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。

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