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DIODES产品标志

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DMNH10H028SK3Q-13

制造厂商：DIODES

类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 单个，器件封装：TO-252

技术参数：MOSFET N-CH 100V 55A TO252

（专注销售DIODES电子元器件，承诺原装！现货当天发货！）

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参数详情：

制造商产品型号：DMNH10H028SK3Q-13

制造商：Diodes Incorporated

描述：MOSFET N-CH 100V 55A TO252

系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个

产品系列：-

零件状态：有源

FET类型：N 通道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：100V

25°C时电流-连续漏极(Id)：55A（Tc）

驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V

不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：28 毫欧 @ 20A，10V

不同Id时Vgs(th)（最大值）：4V @ 250μA

不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：36nC @ 10V

Vgs（最大值）：±20V

不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：2245pF @ 50V

FET功能：-

功率耗散（最大值）：2W（Ta）

工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

器件封装：TO-252

DMNH10H028SK3Q-13的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。

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