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    DMN60H3D5SK3-13
  • 制造厂商：DIODES
  • 类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 单个，器件封装：TO-252，（D-Pak）
  • 技术参数：MOSFET N-CH 600V 2.8A TO252
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    • 参数详情：
  • 制造商产品型号：DMN60H3D5SK3-13
  • 制造商：Diodes Incorporated
  • 描述：MOSFET N-CH 600V 2.8A TO252
  • 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
  • 产品系列：-
  • 零件状态：有源
  • FET类型：N 通道
  • 技术：MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）：600V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id)：2.8A（Tc）
  • 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
  • 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：3.5 欧姆 @ 1.5A，10V
  • 不同Id时Vgs(th)（最大值）：4V @ 250μA
  • 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：12.6nC @ 10V
  • Vgs（最大值）：±30V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：354pF @ 25V
  • FET功能：-
  • 功率耗散（最大值）：41W（Tc）
  • 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型：表面贴装型
  • 器件封装：TO-252，（D-Pak）
  • DMN60H3D5SK3-13的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。
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