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    DMN3190LDW-13
  • 制造厂商：DIODES
  • 类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列，封装：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
  • 技术参数：MOSFET 2N-CH 30V 1A SOT363
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    • 参数详情：
  • 制造商产品型号：DMN3190LDW-13
  • 制造商：Diodes Incorporated
  • 描述：MOSFET 2N-CH 30V 1A SOT363
  • 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
  • 产品系列：-
  • 零件状态：有源
  • FET类型：2 N-通道（双）
  • FET功能：逻辑电平门
  • 漏源电压（Vdss）：30V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id)：1A
  • 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：190 毫欧 @ 1.3A，10V
  • 不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.8V @ 250μA
  • 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：2nC @ 10V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：87pF @ 20V
  • 功率-最大值：320mW
  • 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型：表面贴装型
  • 封装：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
  • DMN3190LDW-13的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。
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