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DIODES产品标志

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DMN30H4D1S-13

制造厂商：DIODES

类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 单个，器件封装：SOT-23

技术参数：MOSFET N-CH 300V 430MA SOT23

（专注销售DIODES电子元器件，承诺原装！现货当天发货！）

（您可通过电话、微信、QQ或邮件与销售代表联系询价及采购）

参数详情：

制造商产品型号：DMN30H4D1S-13

制造商：Diodes Incorporated

描述：MOSFET N-CH 300V 430MA SOT23

系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个

产品系列：-

零件状态：有源

FET类型：N 通道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：300V

25°C时电流-连续漏极(Id)：430mA（Ta）

驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V

不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：4 欧姆 @ 300mA，10V

不同Id时Vgs(th)（最大值）：3V @ 250μA

不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：4.8nC @ 10V

Vgs（最大值）：±20V

不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：174pF @ 25V

FET功能：-

功率耗散（最大值）：360mW（Ta）

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

器件封装：SOT-23

DMN30H4D1S-13的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。

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