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    DMN2020UFCL-7
  • 制造厂商：DIODES
  • 类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 单个，器件封装：X1-DFN1616-6（E 类）
  • 技术参数：MOSFET N-CH 20V 9A X1-DFN1616-6
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    • 参数详情：
  • 制造商产品型号：DMN2020UFCL-7
  • 制造商：Diodes Incorporated
  • 描述：MOSFET N-CH 20V 9A X1-DFN1616-6
  • 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
  • 产品系列：-
  • 零件状态：有源
  • FET类型：N 通道
  • 技术：MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）：20V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id)：9A（Ta）
  • 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：1.8V，4.5V
  • 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：14 毫欧 @ 9A，4.5V
  • 不同Id时Vgs(th)（最大值）：900mV @ 250μA
  • 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：21.5nC @ 4.5V
  • Vgs（最大值）：±10V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1788pF @ 10V
  • FET功能：-
  • 功率耗散（最大值）：610mW（Ta）
  • 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型：表面贴装型
  • 器件封装：X1-DFN1616-6（E 类）
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