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    DMG6601LVT-7
  • 制造厂商：DIODES
  • 类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列，封装：SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
  • 技术参数：MOSFET N/P-CH 30V 26TSOT
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    • 参数详情：
  • 制造商产品型号：DMG6601LVT-7
  • 制造商：Diodes Incorporated
  • 描述：MOSFET N/P-CH 30V 26TSOT
  • 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
  • 产品系列：-
  • 零件状态：有源
  • FET类型：N 和 P 沟道
  • FET功能：逻辑电平门
  • 漏源电压（Vdss）：30V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id)：3.8A，2.5A
  • 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：55 毫欧 @ 3.4A，10V
  • 不同Id时Vgs(th)（最大值）：1.5V @ 250μA
  • 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：12.3nC @ 10V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：422pF @ 15V
  • 功率-最大值：850mW
  • 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型：表面贴装型
  • 封装：SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
  • DMG6601LVT-7的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。
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