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    DMG4N60SJ3
  • 制造厂商：DIODES
  • 类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 单个，器件封装：TO-251
  • 技术参数：MOSFET N-CH 600V 3A TO251
  • （专注销售DIODES电子元器件，承诺原装！现货当天发货！）
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    • 参数详情：
  • 制造商产品型号：DMG4N60SJ3
  • 制造商：Diodes Incorporated
  • 描述：MOSFET N-CH 600V 3A TO251
  • 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
  • 产品系列：-
  • 零件状态：停产
  • FET类型：N 通道
  • 技术：MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）：600V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id)：3A（Tc）
  • 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
  • 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：2.5 欧姆 @ 2A，10V
  • 不同Id时Vgs(th)（最大值）：4.5V @ 250μA
  • 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：14.3nC @ 10V
  • Vgs（最大值）：±30V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：532pF @ 25V
  • FET功能：-
  • 功率耗散（最大值）：41W（Tc）
  • 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型：通孔
  • 器件封装：TO-251
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