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    DDTD114GC-7-F
  • 制造厂商：DIODES
  • 类别封装：晶体管 - 双极（BJT）- 单，预偏置，封装：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
  • 技术参数：TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3
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    • 参数详情：
  • 制造商产品型号：DDTD114GC-7-F
  • 制造商：Diodes Incorporated
  • 描述：TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3
  • 系列：晶体管 - 双极（BJT）- 单，预偏置
  • 零件状态：有源
  • 晶体管类型：NPN - 预偏压
  • 电流-集电极(Ic)（最大值）：500mA
  • 电压-集射极击穿（最大值）：50V
  • 电阻器-基极(R1)：-
  • 电阻器-发射极(R2)：10 kOhms
  • 不同?Ic、Vce?时DC电流增益(hFE)（最小值）：56 @ 50mA，5V
  • 不同?Ib、Ic时?Vce饱和压降（最大值）：300mV @ 2.5mA，50mA
  • 电流-集电极截止（最大值）：500nA（ICBO）
  • 频率-跃迁：200MHz
  • 功率-最大值：200mW
  • 安装类型：表面贴装型
  • 封装：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
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